2SD1834T100

更新时间： 2024-02-24 11:22:10

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
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3页	136K
描述
Medium Power Transistor (60V, 1A)

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2SD1834T100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SD1834T100 数据手册

Medium Power Transistor (60V, 1A)

2SD1834

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Darlington connection for high DC current gain

(typically, DC current gain = 15000 at V^CE= 3V, IC = 0.5A)

2) High input impedance.

MPT3

4.5

1.6

1.5

(1)

(2)

(3)

Inner circuit

0.4

0.5

3.0

0.4

1.5

(1)Base

(2)Collector

(3)Emitter

B : Base

C : Collector

E : Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

CBO

∗2

∗1

CES

EBO

A(DC)

A(Pulse)

Collector current

0.5

Collector power dissipation

∗3

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

Tstg

−55 to +150

∗1

∗2

∗3

Single pulse Pw=100ms

BE=0Ω

Mounted on a 40 40× ^t0.7mm ceramic substrate

Electrical characteristics (Ta=25C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

−

=50μA

=100μA , RBE=0Ω

=50μA

CB=60V

EB=6V

CBO

EBO

CE(sat)

−

μA

−

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

2000

−

1.5

C=3V/500mA

∗

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

−

0.9

150

C/I

B=500mA/500μA

−

MHz

CE=5V , I

CE=10V , I

E= −10mA , f=100MHz

Output capacitance

Cob

E=0A , f=1MHz

Measured using pulse current.

∗

www.rohm.com

2010.02 - Rev.B

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