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2SD1779

更新时间: 2024-09-28 22:52:47
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 140K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2SD1779 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SD1779 数据手册

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