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2SD1781K

更新时间： 2024-02-16 09:13:26
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 702K
描述
NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor

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2SD1781K 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD1781K 数据手册

 浏览型号2SD1781K的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1781K  
NPN Silicon  
Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
A
FEATURES  
ꢀVery low VCE(sat).VCE(sat) < 0.4 V (Typ.)  
(IC /IB = 500mA / 50mA)  
L
3
Collector  
3
3
Top View  
C B  
1
ꢀComplements to 2SB1197K  
1
2
2
2
Base  
K
F
E
D
1
Emitter  
H
J
G
MARKING  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.10 REF.  
0.55 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.00  
2.55  
1.40  
1.15  
AF‡  
‡ = hFE ranking  
A
B
C
D
2.80  
2.25  
1.20  
0.90  
G
H
J
0.08  
0.15  
K
0.5 REF.  
E
F
1.80  
0.30  
2.00  
0.50  
L
0.95 TYP.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
V
32  
V
5
V
Collector Current - Continuous  
Total Device Dissipation  
0.8  
200  
A
PC  
mW  
°C  
Junction and Storage Temperature  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Collector–Base Breakdown Voltage  
BVCBO  
40  
32  
5
-
-
-
-
V
IC = 50μA, IE = 0  
IC = 1mA, IB = 0  
IE = 50μA, IC = 0  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
BVCEO  
-
V
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
-
V
0.5  
0.5  
390  
μA  
μA  
V
V
CB = 20V, IE = 0  
EB = 4V, IC = 0  
-
-
hFE  
120  
-
-
-
IC = 100mA, VCE = 3.0V  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.4  
V
IC = 500mA, IB = 50mA  
Transition Frequency  
fT  
-
-
150  
10  
-
-
MHz  
pF  
VCE = 5V, IC = 50mA, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1.0MHz  
Collector Output Capacitance  
COB  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
Q
R
120 – 270  
180-390  
AFQ  
AFR  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
01-June-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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