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2SD1781

更新时间： 2024-02-10 18:54:48
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor

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2SD1781 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SD1781 数据手册

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2SD1781  
0.8A, 40V  
NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
FEATURES  
Very low VCE(sat).VCE(sat) < 0.4 V (Typ.)  
(IC /IB = 500mA / 50mA)  
A
L
Complements to 2SB1197  
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
2
K
F
E
CLASSIFICATION OF hFE  
D
Product-Rank  
2SD1781-Q  
120 ~ 270  
AFQ  
2SD1781-R  
180 ~ 390  
AFR  
H
J
G
Range  
Marking  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.10 REF.  
0.55 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.00  
2.55  
1.40  
1.15  
PACKAGE INFORMATION  
A
B
C
D
2.80  
2.25  
1.20  
0.90  
G
H
J
Collector  
0.08  
0.15  
Package  
MPQ  
LeaderSize  
  
K
0.5 REF.  
E
F
1.80  
0.30  
2.00  
0.50  
L
0.95 TYP.  
SOT-23  
3K  
7’ inch  
  
Emitter  
  
Base  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
32  
V
5
0.8  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction and Storage Temperature  
A
PC  
200  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
40  
32  
5
-
-
-
-
-
V
IC = 50A, IE = 0  
IC = 1mA, IB = 0  
IE = 50A, IC = 0  
VCB = 20V, IE = 0  
-
V
-
V
-
0.5  
A  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE  
-
-
-
0.5  
A  
VEB = 4V, IC = 0  
120  
390  
IC = 100mA, VCE = 3V  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-
-
0.4  
V
IC = 500mA, IB = 50mA  
Transition Frequency  
fT  
-
-
150  
10  
-
-
MHz  
pF  
VCE = 5V, IC = 50mA, f = 100MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1.0MHz  
Collector Output Capacitance  
Cob  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
30-Dec-2010 Rev. A  
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123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1781-3L BL Galaxy Electrical

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 		32V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
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 		SOT-23
2SD1781K SECOS

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2SD1781K ROHM

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2SD1781K WEITRON

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