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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.33 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 280 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1622-T | KEXIN | NPN Transistors |
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| 2SD1622U | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| 2SD1622-U | KEXIN | NPN Transistors |
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| 2SD1623 | TYSEMI | Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. |
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| 2SD1623 | ONSEMI | Bipolar Transistor (â)50V, (â)2A, Low VCE |
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| 2SD1623 | SANYO | High-Current Switching Applications |
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