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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.03 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1616L-G-AB3-T | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616L-G-G03-B | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616L-G-G03-K | UTC |
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| 2SD1616L-G-G03-R | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616L-G-G03-T | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616L-G-T92-B | UTC |
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| 2SD1616L-G-T92-K | UTC |
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| 2SD1616L-G-T92-R | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616L-G-T92-T | UTC |
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| 2SD1616L-G-T9S-B | UTC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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