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2SD1559

更新时间: 2024-01-20 13:45:09
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
6页 39K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

2SD1559 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON

2SD1559 数据手册

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2SD1559  
Silicon NPN Triple Diffused  
Application  
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1079  
Outline  
TO-3P  
2
1
1. Base  
2. Collector  
(Flange)  
3 k  
400 Ω  
3. Emitter  
(Typ)  
(Typ)  
1
3
2
3

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