2SD1547

更新时间： 2024-02-20 17:45:04

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	92K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1547 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1547 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1547

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

I_EBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

5.0

1.5

UNIT

Collector-emitter saturation voltage I_C=6A ;I_B=1.2A

3.0

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=6A ;I_B=1.2A

V_CB=500V; I_E=0

μA

V_EB=5V; I_C=0

h_FE

I_C=1A ; V_CE=5V

f_T

Transition frequency

Collector output capacitance

Fall time

I_C=0.1A ; V_CE=10V

I_E=0 ; V_CB=10V;f=1MHz

I_CP=6A ;I_B1_(end)=1.2A

MHz

C_OB

165

0.5

1.0

μs

t_f

123

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