2SD1553

更新时间： 2024-01-11 17:00:28

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1553 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1553 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1553

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·Built-in damper diode

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

600

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

2.5

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

℃

150

-55~150

T_j

T_stg

12 3

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