2SD1450

更新时间： 2024-02-09 20:31:21

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)

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2SD1450 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SD1450 数据手册

Transistor

2SD1450

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Unit: mm

4.0±0.2

Features

Optimum for high-density mounting.

■

●

Allowing supply with the radial taping.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

marking

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1.27 1.27

2.54±0.15

0.5

1:Emitter

2:Collector

3:Base

I_C

EIAJ:SC–72

New S Type Package

Collector power dissipation (Ta=25˚C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

300

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= 25V, I_E= 0

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

V_CE= 2V, I_C= 1A^*2

200

800

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 20mA^*2

0.13

0.4

1.2

Transition frequency

Collector output capacitance

ON resistanse

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

200

MHz

C_ob

R_on

0.6

Ω

^*2Pulse measurement

Rank classification

Measurement circuit

FE1

1kΩ

Rank

h_FE1

I_B=1mA

200 ~ 350

300 ~ 500

400 ~ 800

f=1kHz

V=0.3V

V_B

V_A

V_V

V_B

R_on=

✕1000(Ω)

V_A–V_B

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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