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2SD1457O

更新时间: 2024-02-20 22:16:52
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 180K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 150V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR

2SD1457O 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3-3L
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):700JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1

2SD1457O 数据手册

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トランジスタ  
2SD1458  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
低周 波増幅用  
Unit : mm  
2.5 0.1  
6.9 0.1  
(1.5)  
(1.0)  
(1.5)  
特ꢀ長  
流電流増幅hFE が高い  
コレクミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い  
M型パッケージで自動挿入挿入が容易P板に自立固  
R 0.9  
定で  
R 0.7  
きる  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
(0.85)  
0.45 0.05  
項目  
記号  
定格  
20  
単位  
V
0.55 0.1  
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
エミッース間電圧(C 開放時) VEBO  
20  
V
15  
V
3
2
1
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
(2.5) (2.5)  
コレクタ電流  
IC  
ICP  
PC  
0.7  
1.5  
1
A
尖頭コレクタ電流  
A
M-A1 Package  
*
コレクタ損失  
W
合温度  
保存温度  
)  
Tj  
150  
55 ∼ +150  
1 cm2以上1.7 mm  
°C  
Tstg  
°C  
:
プリント基板のコレクタ分の銅泊面  
*
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
IC = 10µA, IE = 0  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
コレクミッタ間電圧(B開放時)  
エミッース間電圧(C 開放時)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
20  
20  
15  
1
IC = 1 mA, IB = 0  
V
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 15 V, IE = 0  
VCE = 15 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 150 mA  
V
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
µA  
µA  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
ICEO  
hFE  
10  
*
流電流増幅率  
1000  
2500  
コレクミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
VCE(sat) IC = 500 mA, IB = 50 mA  
0.4  
V
fT  
VCB = 20 V, IE = −20 mA, f = 200 MHz  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
55  
11  
MHz  
pF  
コレクタ出力容量(入力開放時)  
Cob  
15  
) 1. 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. : パルス設定  
*
発行年月 : 200211月  
SJC00223BJD  
1

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