2SD1457

更新时间： 2024-02-25 08:29:05

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1457 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3-3L
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	700	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1457 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1457 2SD1457A

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High DC current gain

·DARLINGTON

·High V_CBO

APPLICATIONS

·For power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PFa) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

MAX

200

150

200

UNIT

V_CBO

2SD1457

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

2SD1457A

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

3.0

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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2SD1457AO	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SD1457AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SD1457AQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 200V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR	获取价格