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2SD1440

更新时间： 2024-10-02 06:20:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	220K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1440 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SD1440 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1440

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Peak

3.5

I_CP

I_BP

3.5

Collector Power Dissipation

@ T_a= 25℃

2.5

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

T_J

Junction Temperature

130

℃

Storage Temperature Range

-55~130

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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