2SD1444

更新时间： 2024-10-02 00:00:47

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描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)

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2SD1444 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1444 数据手册

Power Transistors

2SB953, 2SB953A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Complementary to 2SD1444 and 2SD1444A

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

Features

■

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

High-speed switching

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

φ3.1±0.1

one screw

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1.3±0.2

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.4±0.1

Collector to

2SB953

2SB953A

2SB953

–40

+0.2

–0.1

V_CBO

0.5

base voltage

Collector to

–50

0.8±0.1

–20

V_CEO

2.54±0.25

emitter voltage 2SB953A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

5.08±0.5

V_EBO

I_CP

–5

–12

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

I_C

–7

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

2SB953

V_CB= –40V, I_E= 0

V_CB= –50V, I_E= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

I_CBO

current

2SB953A

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB953

voltage 2SB953A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –2A

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –5A, I_B= – 0.16A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

140

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

Storage time

I_C= –2A, I_B1= –66mA, I_B2= 66mA

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE2= 90 to 260) in the

rank classification.

90 to 180

130 to 260

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1444AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| SOT-186
2SD1444AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| SOT-186
2SD1444AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| SOT-186
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