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2SD1400

更新时间： 2022-12-26 14:37:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	218K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1400 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1400

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

CONDITIONS

MIN

1500

800

TYP. MAX UNIT

I_C= 5mA; I_E= 0

I_C= 100mA; R_BE= ∞

I_E= 200mA; I_C= 0

I_C= 2A; I_B= 0.6A

V_CB= 800V; I_E= 0

V_EB= 5V; I_C= 0

8.0

1.5

V_CE

(sat)

V_BE

(sat)

I_CBO

μA

I_EBO

h_FE

f_T

Emitter Cutoff Current

1.0

DC Current Gain

I_C= 0.5A; V_CE= 5V

I_C= 0.5A; V_CE= 10V

Current-Gain—Bandwidth Product

Fall Time

MHz

I_C= 2A, I_B= 0.6A, I_B= -1.2A;

0.7

μs

t_f

R_L= 100Ω; V_CC= 200V

isc Website：www.iscsemi.cn

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