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2SD1399

更新时间： 2024-02-13 18:02:21

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	145K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1399 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	140 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1399 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1399

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

800

1500

TYP.

MAX

UNIT

Collector- emitter breakdown voltage I_C=100mA; R_BE=∞

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=5mA; I_E=0

I_E=200mA; I_C=0

I_C=5A; I_B=1A

5.0

1.5

I_C=5A; I_B=1A

V_CB=800V; I_E=0

V_EB=4V; I_C=0

I_C=1A ; V_CE=5V

I_C=1A ; V_CE=10V

µA

I_EBO

130

h_FE

DC current gain

f_T

Transition frequency

MHz

µs

I_C=5A;I_B1=1A; I_B2=-2A,

V_CC=200V; R_L=40Ω

t_f

Fall time

0.7

2.0

V_F

Diode forward voltage

I_EC=6A

123

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