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2SD1347-U

更新时间: 2024-01-02 21:52:01
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 35K
描述
3000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP, 3 PIN

2SD1347-U 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):280JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SD1347-U 数据手册

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2SB985/2SD1347  
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Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
0.5  
0.19  
V
V
V
V
V
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
V
I
=()2A, I =()100mA  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
(0.35) (0.7)  
()0.94 ()1.2  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-to-Base Breakdown Voltage  
V
I
I
I
=()2A, I =()100mA  
C
C
C
B
V
V
V
=()10µA, I =0  
()60  
()50  
()6  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
E
=()1mA, R =  
BE  
I =()10µA I =0  
E
C
I
-- V  
CE  
I
-- V  
C CE  
C
--5  
--4  
--3  
--2  
5
4
3
2
2SB985  
2SD1347  
--10mA  
--1  
0
1
0
I =0  
B
--1.2  
I =0  
B
0
0
0
--0.4  
--0.8  
--1.6  
– V  
--2.0  
ITR08797  
0
0
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Collector-to-Emitter Voltage, V – V  
ITR08798  
CE  
Collector-to-Emitter Voltage, V  
CE  
I
-- V  
CE  
I
-- V  
C CE  
C
--500  
--400  
--300  
--200  
500  
400  
300  
200  
2SB985  
2SD1347  
1500µA  
--1500µA  
--1000µA  
1000µA  
500µA  
--100  
0
--500µA  
100  
0
I =0  
I =0  
B
B
--1  
--2  
--3  
--4  
– V  
--5  
ITR08799  
1
2
3
4
5
Collector-to-Emitter Voltage, V  
CE  
Collector-to-Emitter Voltage, V – V  
CE  
ITR08800  
I
-- V  
I
-- V  
BE  
C
BE  
C
--1.6  
--1.4  
--1.2  
--1.0  
--0.8  
--0.6  
--0.4  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
2SB985  
= --2V  
2SD1347  
V =2V  
CE  
V
CE  
--0.2  
0
0.2  
0
--0.2  
--0.4  
--0.6  
--0.8  
--1.0  
--1.2  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Base-to-Emitter Voltage, V  
BE  
– V  
Base-to-Emitter Voltage, V – V  
BE  
ITR08801  
ITR08802  
No.1244–2/4  

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