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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1350
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2SD1350

更新时间： 2024-02-29 01:06:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Silicon NPN triple diffusion planer type

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2SD1350 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：55 MHz
最大关闭时间（toff）：4300 ns最大开启时间（吨）：400 ns
Base Number Matches：1

2SD1350 数据手册

 浏览型号2SD1350的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1350, 2SD1350A  
Silicon NPN triple diffusion planer type  
For high breakdown voltage switching  
Unit: mm  
Features  
High collector to base voltage VCBO  
■
●
.
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
●
●
●
●
High collector to emitter voltage VCEO  
Large collector power dissipation PC.  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
.
1.5 R0.9  
1.0  
R0.9  
.
R0.7  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.85  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
Collector to  
2SD1350  
2SD1350A  
2SD1350  
400  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
600  
3
2
1
400  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1350A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
500  
2.5  
2.5  
VEBO  
ICP  
5
V
A
1
1:Base  
IC  
500  
1
mA  
W
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Collector to base  
voltage  
Symbol  
Conditions  
IC = 100µA, IE = 0  
min  
400  
600  
400  
500  
5
typ  
max  
Unit  
2SD1350  
VCBO  
V
2SD1350A  
Collector to emitter 2SD1350  
VCEO  
IC = 500µA, IB = 0  
IE = 100µA, IC = 0  
V
V
voltage  
2SD1350A  
Emitter to base voltage  
VEBO  
hFE  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 30mA  
30  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 250mA, IB = 50mA*  
IC = 250mA, IB = 50mA*  
1.5  
1.5  
V
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 30V, IE = –20mA, f = 200MHz  
VCB = 30V, IE = 0, f = 1MHz  
VCC = 200V, IC = 100mA  
55  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
7
2SD1350  
0.4  
1.0  
0.7  
1.0  
3.6  
4.0  
Turn-on time  
Fall time  
ton  
µs  
µs  
µs  
2SD1350A  
2SD1350  
IB1 = 10mA, IB2 = –10mA  
VCC = 200V, IC = 100mA  
IB1 = 10mA, IB2 = –10mA  
VCC = 200V, IC = 100mA  
IB1 = 10mA, IB2 = –10mA  
tf  
2SD1350A  
2SD1350  
Storage time  
tstg  
2SD1350A  
* Pulse measurement  
1
12

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