Datasheet > 2SCR553P_09

2SCR553P_09

更新时间： 2022-09-18 09:56:24

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	228K
描述
Midium Power Transistors (50V / 2A)

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SCR553P_09 数据手册

2SCR553P

Data Sheet

Electrical characteristic (Ta = 25C)

Parameter

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

I_C= 1ｍA

I_C= 100μA

I_E= 100μA

_CB= 50V

_EB= 4V

A

I_EBO

Emitter cut-off current

130

V_CE(sat)

h_FE

I_C= 700mA, I_B= 35mA

_CE= 2V, I_C= 50mA

Collector-emitter staturation voltage

DC current gain

350

450

180

V_CE= 10V

f_T

Transition frequency

360

MHz

I_E=-300mA, f=100MHz

V_CB= 10V, I_E=0A

C_ob

Collector output capacitance

f=1MHｚ

Turn-on time

Storage time

Fall time

420

_on*2

I_C= 1A,I_B1= 100mA,

_stg*2

I_B2=-100mA,V_CC10V

t_f

*1 Pulsed

*2 See switching time test circuit

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

2/4

123 4 5

下载PDF

与2SCR553P_09相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SCR553P5	ROHM	2SCR553P5是低VCE(sat)的晶体管，适合高速开关的低频放大用途。	获取价格
2SCR553P5T100	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
2SCR553PFRAT100	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP	获取价格
2SCR553PHZG	ROHM	2SCR553PHZG是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。	获取价格
2SCR553PT100	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP	获取价格
2SCR553R	ROHM	根据市场需求，提供从超小型到功率型的封装，以节能高可靠性为开发理念的多种产品线。	获取价格