5秒后页面跳转
2SC710-11-B PDF预览

2SC710-11-B

更新时间: 2024-11-18 18:25:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SC710-11-B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):35JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SC710-11-B 数据手册

 浏览型号2SC710-11-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC710-11-B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC710-11-B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC710-11-B的Datasheet PDF文件第5页 

与2SC710-11-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC710-11-C MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC710-11-D MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC710-11-E MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC710-T11-B MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC710-T11-C MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC710-T11-D MITSUBISHI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2SC717 ETC

获取价格

VHF RF AMPLIFIER, MIXER, OSCILLATOR
2SC730 MITSUBISHI

获取价格

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
2SC732 SWST

获取价格

小信号晶体管
2SC732TM TOSHIBA

获取价格

NPN EPITAXIAL TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)