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2SC536NPD

更新时间: 2024-02-17 08:46:32
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 263K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

2SC536NPD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):480
JESD-609代码:e0最高工作温度:125 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

2SC536NPD 数据手册

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