2SC5370

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	15K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Emergency Lighting Inverter and General Purpose)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5370 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5370 数据手册

2 S C5 3 7 0

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

Application : Emergency Lighting Inverter and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions FM20(TO220F)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

2SC5370

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

Unit

µA

Unit

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

2.8

10max

40min

V^CB=60V

IEBO

V^EB=7V

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

70min

V^CE=2V, IC=6A

I^C=6A, IB=0.3A

V^CE=12V, IE=–3A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

0.3max

1.2max

90typ

30(Tc=25°C)

150

°C

±0.15

1.35

MHz

±0.15

1.35

COB

120typ

Tstg

–55to+150

+0.2

-0.1

0.85

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

hFE Rank O(70 to 140), Y(120 to 240), G(200 to 400)

±0.2

2.2

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

b. Lot No.

C E

135

中文翻译

下载PDF

与2SC5370相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5370G	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5370G	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5370O	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5370O	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5370Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5370Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC5371	FOSHAN	获取价格	TO-220F
2SC5374	SANYO	获取价格	VHF to UHF Band OSC, High-Frequency Amp Applications
2SC5374A	SANYO	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Band OSC, High-Frequency Amplifier Appl
2SC5374A_12	SANYO	获取价格	VHF to UHF Band OSC, High-Frequency Amplifi er Applications