2SC5370O

更新时间： 2024-11-16 13:04:19

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	15K
描述
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM20, TO-220F, 3 PIN

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2SC5370O 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5370O 数据手册

2 S C5 3 7 0

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

Application : Emergency Lighting Inverter and General Purpose

(Ta=25°C)

External Dimensions FM20(TO220F)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

2SC5370

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

Unit

µA

Unit

±0.2

4.2

±0.2

10.1

0.5

2.8

10max

40min

V^CB=60V

IEBO

V^EB=7V

V(BR)CEO

hFE

I^C=25mA

±0.2

ø3.3

70min

V^CE=2V, IC=6A

I^C=6A, IB=0.3A

V^CE=12V, IE=–3A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

0.3max

1.2max

90typ

30(Tc=25°C)

150

°C

±0.15

1.35

MHz

±0.15

1.35

COB

120typ

Tstg

–55to+150

+0.2

-0.1

0.85

+0.2

-0.1

0.45

±0.2

2.4

2.54

hFE Rank O(70 to 140), Y(120 to 240), G(200 to 400)

±0.2

2.2

Weight : Approx 2.0g

a. Type No.

b. Lot No.

C E

135

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