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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.44 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 2300 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5368_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type |
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| 2SC5369 | NEC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION |
|
| 2SC5369(NE696M01) | ETC |
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Discrete |
|
| 2SC5369-FB | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC5369-FB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6 |
|
| 2SC536D | CDIL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| 2SC536E | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SC536F | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SC536G | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
|
| 2SC536G | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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