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2SC536D

更新时间: 2024-02-14 11:18:47
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CDIL 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

2SC536D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

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