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2SC5343

更新时间： 2024-01-12 03:49:07

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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2页	635K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SC5343 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5343 数据手册

2SC5343

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

SOT-23

Excellent h_FELinearity

Low Noise.

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

1. BASE

Symbol

Parameter

Value

Units

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Base Current -Continuous

Collector Power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

I_b

P_C

0.2

T_J

150

-55-150

℃

T_stg

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=10μA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=60V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

h_FE(1)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=6V,I_C=2mA

I_C=100mA,I_B=10mA

V_CE=10V,I_C=1mA

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

700

0.25

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

0.1

MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

V_CE=6V,I_c=0.1mA,

Noise figure

f=1KHZ,Rg=10KΩ

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

70-140

120-240

200-400

300-700

Range

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

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