2SC5343MY

更新时间： 2024-02-03 07:55:57

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Transistor,

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2SC5343MY 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5343MY 数据手册

2SC5343

NPN Silicon Transistor

Description

• General small signal amplifier

PIN Connection

Features

• Low collector saturation voltage

: V_CE(sat)=0.25V(Max.)

• Low output capacitance : C_ob=2pF(Typ.)

• Complementary pair with 2SA1980

TO-92

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

2SC5343

C5343

TO-92

Absolute maximum ratings

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

Ratings

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

150

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

500

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10μA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

0.1

700

0.25

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

DC current gain

V_CE=6V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=10V, I_C=1mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Collector-Emitter saturation voltage

Transistion frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

V_CE=6V, I_C=0.1mA,

f=1KHz, Rg=10KΩ

Noise figure

* : h_FErank / O : 70 ~ 140, Y : 120 ~ 240, G : 200 ~ 400, L : 300 ~ 700

KSD-T0A018-000

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