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2SC5343-L-BP

更新时间： 2024-01-26 01:57:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 262K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC5343-L-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SC5343-L-BP 数据手册

 浏览型号2SC5343-L-BP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SC5343-O  
2SC5343-Y  
2SC5343-G  
2SC5343-L  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
ꢀꢁ Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)=0.25V(Max.)  
ꢀꢁ Low Output Capacitance: Cob=2.0pF(Typ.)  
ꢀꢁ Complementary Pair With 2SA1980  
ꢀꢁ Marking : C5343  
NPN Silicon  
Transistors  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
Unit  
V
TO-92  
A
E
60  
V
5.0  
V
150  
mA  
mW  
OC  
OC  
B
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
TJ  
150  
TSTG  
-55 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,IE=0)  
60  
50  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
---  
Vdc  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
D
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Forward Current Transfer ratio*  
70  
---  
80  
---  
---  
---  
700  
0.25  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
E
E
C
(IC=2.0Adc, VCE=6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Transition Frequency  
(VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
C
B
B
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
---  
DIMENSIONS  
Cob  
2.0  
3.5  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
NF  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
(VCE=6.0Vdc, IC=0.1mAdc,  
f=1.0KHz, Rg=10KĀ)  
---  
---  
10  
dB  
* hFE rank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700  
E
Straight Lead  
Bent Lead  
G
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: D  
2013/01/01  
12

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