Datasheet > 2SC5200C-O-AB-N-B

2SC5200C-O-AB-N-B

更新时间： 2022-02-26 09:38:54

品牌	Logo	应用领域
华微电子 - JSMC		/
页数	文件大小	规格书
8页	571K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Transistor

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5200C-O-AB-N-B 数据手册

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第7页

浏览型号2SC5200C-O-AB-N-B的Datasheet PDF文件第8页

2SC5200 ^SERIES

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SC5200B curves)

DC Current Gain

Base-Emitter Voltage

1000

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Tc=25℃

Tc=100℃

100

Tc=25℃

Common emitter

Tc=100℃

Common emitter

IC/IB = 5

V_CE= 5 V Single pulse test

Single pulse test

0.01

0.1

100

0.1

100

Collector corrent I_C¹⁰(A)

Collector corrent I_C(A)

Saturation Voltage

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

Common emitter

I_C/I_B= 5

Single pulse test

Tc=100℃

Tc=25℃

0.1

100

Collector corrent I_C(A)

Power Derating

Safe Operating Area

T_C=25℃ DC Operation

1ms

10ms

Infinite heat sink

100ms

Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C

Curves must be derated linear

with increase in temperature.

Case temperature T_C（℃）

Collector-emitter voltage V_CE(V)

版本：201603A

5/8

1 2 3 456 7 8

下载PDF

与2SC5200C-O-AB-N-B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5200C-O-AL-N-B	JSMC	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	获取价格
2SC5200C-O-AL-N-D	JSMC	Silicon NPN Triple Diffused Transistor	获取价格
2SC5200G-O-T3L-T	UTC	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SC5200L	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SC5200LO	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SC5200L-O-T3B-T	UTC	Power Bipolar Transistor,	获取价格