2SC4988

更新时间： 2024-02-26 03:49:45

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管放大器
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8页	89K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC4988 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1.6 pF	集电极-发射极最大电压：	9 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4988 数据手册

2SC4988

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0738-0300

(Previous ADE-208-004A)

Rev.3.00

Aug.10.2005

Application

VHF / UHF wide band amplifier

Features

•

High gain bandwidth product

f_T= 8.5 GHz Typ

•

High gain, low noise figure

PG = 10.5 dB Typ, NF = 1.3 dB Typ at f = 900 MHz

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

(Package name: UPAK ^R

)

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector (Flange)

Note:

Marking is “FR”.

*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.

Attention: This device is very sensitive to electro static discharge.

It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1.5

100

800*¹

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

–55 to +150

Note: 1. This value is allowed when using the alumina ceramics board (12.5 x 20 x 0.7 mm)

Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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