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2SC4672T100

更新时间： 2024-01-05 06:17:29
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 PIN

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2SC4672T100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.04外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：210 MHz
VCEsat-Max：0.35 VBase Number Matches：1

2SC4672T100 数据手册

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2SC4672  
Transistors  
Low Frequency Transistor (50V, 3A)  
2SC4672  
zFeatures  
1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) =0.1V at IC/IB =1A /50mA.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Complements the 2SA1797.  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
50  
6
V
V
V
3
A (DC)  
Collector current  
IC  
6
A (Pulse) ∗1  
0.5  
2
Collector power dissipation  
PC  
W
∗2  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
t
∗2 40×40×  
0.7mm Ceramic board  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SC4672  
MPT3  
PQ  
Package  
hFE  
∗
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
DK  
T100  
1000  
∗
Denotes hFE  
hFE values are classified as follows:  
Item  
P
Q
hFE  
82 to 180 120 to 270  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
50  
6
−
−
−
−
−
0.13  
−
−
−
0.1  
0.1  
0.35  
270  
−
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
C
V
E
=50µA  
CB=60V  
EB=5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
82  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
∗
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
V
IC/IB=1A/50mA  
h
FE  
FE  
1
2
−
−
210  
25  
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
V
CE=2V, I  
CE=2V, I  
CE=2V, I  
C
=0.5A  
=1.5A  
DC current transfer ratio  
h
45  
−
−
C
Transition frequency  
Output capacitance  
f
T
−
−
E
=−0.5A, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
CB=10V, I  
E
∗Measured using pulse current.  
Rev.C  
1/2  
123

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 		2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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