5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC4617EBQ
2SC4617EBQ PDF预览

2SC4617EBQ

更新时间： 2024-09-26 21:16:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC4617EBQ 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

2SC4617EBQ 数据手册

 浏览型号2SC4617EBQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4617EBQ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4617EBQ的Datasheet PDF文件第4页 
General purpose small signal amplifier (50V, 0.15A)  
2SC4617EB  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Excellent hFE linearity.  
2) Complements the 2SA1774EB.  
EMT3F  
1.6  
0.7  
Structure  
0.26  
NPN silicon epitaxial  
planar transistor  
(3)  
(1)  
(2)  
0.13  
0.5 0.5  
1.0  
Each lead has same dimensions  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
∗ = Denotes hFE  
Abbreviated symbol : B  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
50  
7
V
V
I
C
150  
Collector current  
mA  
∗1  
∗2  
I
CP  
200  
Power dissipation  
P
D
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 Pw=1ms Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
50  
60  
7
V
V
I
I
I
C
=1mA  
=50μA  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
C
−
−
V
E=50μA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
100  
100  
400  
390  
−
nA  
nA  
mV  
−
V
CB=60V  
V
EB=7V  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−
I
C
/I  
B
=50mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
120  
−
−
V
V
V
CE=6V, I  
C
=1mA  
f
T
180  
2
MHz  
pF  
CE=12V, I  
CE=12V, I  
E=−2mA, f=100MHz  
Transition frequency  
Cob  
−
3.5  
E=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
hFE rank categories  
Rank  
Q
R
h
FE  
120 to 270 180 to 390  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

中文翻译

下载PDF

与2SC4617EBQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4617EB-Q UTC

获取价格

 		暂无描述
2SC4617EBR UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EBR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EB-R UTC

获取价格

 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, EMT3F, 3 PIN
2SC4617EB-S UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EB-S ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EBTL UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4617EBTLP ROHM

获取价格

 		Transistor
2SC4617EBTLR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4617EBTLS UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

与2SC4617EBQ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证