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2SC4617EBR

更新时间： 2024-09-26 21:16:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F, 3 PIN

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2SC4617EBR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

2SC4617EBR 数据手册

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General purpose small signal amplifier (50V, 0.15A)  
2SC4617EB  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Excellent hFE linearity.  
2) Complements the 2SA1774EB.  
EMT3F  
1.6  
0.7  
Structure  
0.26  
NPN silicon epitaxial  
planar transistor  
(3)  
(1)  
(2)  
0.13  
0.5 0.5  
1.0  
Each lead has same dimensions  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
∗ = Denotes hFE  
Abbreviated symbol : B  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
50  
7
V
V
I
C
150  
Collector current  
mA  
∗1  
∗2  
I
CP  
200  
Power dissipation  
P
D
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
∗1 Pw=1ms Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
50  
60  
7
V
V
I
I
I
C
=1mA  
=50μA  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
C
−
−
V
E=50μA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
100  
100  
400  
390  
−
nA  
nA  
mV  
−
V
CB=60V  
V
EB=7V  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
−
−
I
C
/I  
B
=50mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
120  
−
−
V
V
V
CE=6V, I  
C
=1mA  
f
T
180  
2
MHz  
pF  
CE=12V, I  
CE=12V, I  
E=−2mA, f=100MHz  
Transition frequency  
Cob  
−
3.5  
E=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
hFE rank categories  
Rank  
Q
R
h
FE  
120 to 270 180 to 390  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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与2SC4617EBR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4617EB-R UTC

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 		150mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, EMT3F, 3 PIN
2SC4617EB-S UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EB-S ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, EMT3F,
2SC4617EBTL UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4617EBTLP ROHM

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 		Transistor
2SC4617EBTLR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC4617FRA ROHM

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 		车载双极晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
2SC4617FRATL UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,

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