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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A | 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 10 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4325 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC4325TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC4325TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| 2SC4326KT146S | ROHM |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4326KT147 | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC4326LK | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
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| 2SC4326LKQ | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4326LKR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4326LKS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
|
| 2SC4326LKT146/Q | ROHM |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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