Datasheet > 2SC4327

2SC4327

更新时间： 2024-02-13 12:16:08

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	215K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4327 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-220
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	115 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4327 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC4327

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 35V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.5V(Max)@ (I_C= 5A, I_B= 0.3A)

·Complement to Type 2SA1643

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

下载PDF

与2SC4327相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC433	SHINDENGEN	POWER TRANSISTOR	获取价格
2SC4330	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
2SC4330U	SWST	功率三极管	获取价格
2SC4331	RENESAS	SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格
2SC4331	NEC	Silicon Power Transistor	获取价格
2SC4331(0)-Z-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252VAR	获取价格