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2SC4151

更新时间： 2024-02-13 07:33:48

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	223K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4151 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
最大关闭时间（toff）：	2000 ns	最大开启时间（吨）：	300 ns
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2SC4151 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4151

DESCRIPTION

·With ITO-220 package

·Switching power transistor

·Low saturation voltage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

I_BM

Base current-Peak

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

4.16

ꢀ/W

12 3

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