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2SC4135

更新时间： 2024-02-27 03:06:41

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科信 - KEXIN		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
High-Voltage Switching Applications

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2SC4135 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.44	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4135 数据手册

SMD Type

Transistors

High-Voltage Switching Applications

2SC4135

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

Features

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

High breakdown voltage and large current capacity.

Fast switching speed.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

120

100

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^CP

P^C

150

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SC4135RTP	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PI	获取价格
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