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2SC4116

更新时间： 2024-02-20 21:01:31

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SECOS		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	167K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistor

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2SC4116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

2SC4116 数据手册

2SC4116

0.15A , 60V

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-323

FEATURES



High voltage and high current.

Excellent h_FElinearity.

High h_FE.

Low noise.

Complementary to 2SA1586

Top View

C B

CLASSIFICATION OF h_FE

Product-Rank 2SC-4116-O 2SC-4116-Y 2SC-4116-GR 2SC-4116-BL

Millimeter

Min. Max.

Millimeter

REF.

Min.

Max.

0.100 REF.

0.525 REF.

Range

70~140

120~240

200~400

350~700

1.80

1.15

0.80

1.20

0.20

2.20

2.45

1.35

1.10

1.40

0.40

Marking

0.08

0.25

0.650 TYP.

PACKAGE INFORMATION

Collector

Package

MPQ

LeaderSize

7’ inch



SOT-323



Base



Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

150

Collector Current

°C

Collector Power Dissipation

Junction & Storage temperature

P_C

100

T_J, T_STG

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Symbol Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Condition

I_C=100μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

V_(BR)CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-off Current

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=100μA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.1

700

0.25

μA

I_EBO

DC Current Gain

h_FE

V_CE=6V, I_C=2mA

I_C=100mA, I_B=10mA

Collector-Base Saturation Voltage

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

V_CE(sat)

f_T

C_ob

GHz V_CE=10V, I_C=1mA

3.5

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=0.1mA, f=1KHz,

Rg=10KΩ

Noise Figure

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

10-Mar-2011 Rev. A

Page 1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4116_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4116BL	WEITRON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD F
2SC4116-BL	MCC	获取价格	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
2SC4116-BL(T5LAL,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4116-BL(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SC4116-BLLF(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SC4116BLTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SC4116BLTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SC4116-BL-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4116-BL-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,

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