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2SC4116-O(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-18 04:51:41
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 354K
描述
TRANS NPN 50V 150MA SC70

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2SC4116-O(TE85L,F) 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：1.63其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.1 W
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

2SC4116-O(TE85L,F) 数据手册

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2SC4116  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC4116  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
•
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
High voltage and high current: V  
= 50 V, I = 150 mA (max)  
C
CEO  
Excellent h  
FE  
linearity: h  
(I = 0.1 mA)/h  
(I = 2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
C
High h : h  
FE FE  
= 70 to 700  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SA1586  
Small package  
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
60  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
V
I
150  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
30  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
100  
C
JEDEC  
JEITA  
―
T
125  
j
SC-70  
2-2E1A  
T
−55 to 125  
stg  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.006 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 60 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
I
V
V
V
―
―
70  
―
80  
―
―
―
0.1  
0.1  
700  
0.25  
―
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
(Note)  
h
= 6 V, I = 2 mA  
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= 100 mA, I = 10 mA  
0.1  
―
V
C
B
f
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
2.0  
3.5  
E
= 6 V, I = 0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
―
1.0  
10  
dB  
R
= 10 kΩ,  
g
Note: h classification O (O): 70 to 140, Y (Y): 120 to 240, GR (G): 200 to 400, BL (L): 350 to 700  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
Start of commercial production  
1987-01  
1
2015-01-09  
1234

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与2SC4116-O(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4116OTE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SC4116OTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SC4116-O-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4116-O-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC4116TE85L TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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2SC4116Y WEITRON

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2SC4116-Y(5LASTI,F TOSHIBA

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