2SC4115S/QS

更新时间： 2024-02-27 16:35:58

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管
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3页	160K
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SC4115S/QS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-72	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	290 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4115S/QS 数据手册

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

2SC4115S

zFeatures

zDimensions(Unit:mm)

1) Low V^CE(sat).

2SC4115S

V^CE(sat)= 0.2V(Typ.)

0.2

2 0.2

（I^C/ IB = 2A / 0.1A）

2) Excellent current gain characteristics.

3) Complements the 2SA1585S.

+0.15

−0.05

zStructure

0.45

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

+0.15

−0.05

+0.4

0.45

2.5

0.5

−0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

(1) (2) (3)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

Denotes hFE

∗

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

0.4

∗

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

Tstg

−55 to +150

°C

Single pulse Pw=10ms

∗

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

=50

=1mA

=50

−

CBO

EBO

CE(sat)

−

0.1

0.5

390

−

CB=30V

EB=5V

Emitter cutoff current

−

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

−

120

−

0.2

−

IC/IB=2A/0.1A

∗

−

CE=2V, I

=0.1A

= −0.5A, f=100MHz

=0A, f=1MHz

290

MHz

CE=2V, I

Transition frequency

Output capacitance

Cob

−

CE=10V, I

Measured using pulse current.

∗

www.rohm.com

2009.11 - Rev.B

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