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2SC4115SS

更新时间： 2024-01-12 23:03:34

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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1页	111K
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Transistor

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2SC4115SS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC4115SS 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92S

2SC4115S TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Low V_CE(sat)

Excellent Current Gain Characteristics.

Complements The 2SA1585S.

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

300

417

150

-55~+150

℃/W

℃

R_θJA

T_j

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=0.05mA,I_E=0

I_C=1mA,I_B=0

I_E=0.05mA,I_C=0

V_CB=30V,I_E=0

0.1

560

0.5

μA

I_EBO

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=2V, I_C=100mA

I_C=2A,I_B=0.1A

120

Collector-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

V_CE(sat)

C_ob

f_T

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=2V,IC=0.5A, f=100MHz

290

MHz

*Pulse test

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

120-270

180-390

270-560

A,Dec,2010

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