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2SC3853_15

更新时间： 2022-02-26 13:29:22

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3853_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3853

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=50mA ;I_B=0

I_E=1mA ;I_C=0

I_C=2A; I_B=0.2A

V_CB=120V; I_E=0

V_EB=6V; I_C=0

1.5

100

μA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=2A ; V_CE=4V

I_C=0.5A ; V_CE=12V

f_T

Transition frequency

MHz

123

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