2SC3856O

更新时间： 2024-09-14 12:58:55

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管放大器局域网
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT-100, TO-3P, 3 PIN

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2SC3856O 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	MT-100, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3856O 数据手册

2 S C3 8 5 6

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1492)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

I^CBO

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

2SC3856

Unit

µA

2SC3856

Unit

Conditions

V^CB=200V

±0.2

4.8

±0.4

15.6

±0.1

2.0

100max

180min

50min

9.6

200

IEBO

180

V^EB=6V

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

±0.1

ø3.2

V^CE=4V, IC=3A

I^C=5A, IB=0.5A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

MHz

2.0max

20typ

130(Tc=25°C)

150

°C

COB

300typ

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

Tstg

1.05

0.65

1.4

–55 to +150

h^FERank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–1

0.5typ

1.8typ

0.6typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(V^CE=4V)

50mA

I^B=20mA

IC=10A

0.5

1.0

1.5

2.0

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

200

125˚C

100

25˚C

Typ

100

0.5

–30˚C

0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

0.1

0.5

10 15

0.1

0.5

10 15

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

130

100

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

–0.02

0.1

100

200

–0.1

–1

Emitter Current IE(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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