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2SC3691_2014

更新时间： 2022-02-26 13:15:44

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3691_2014 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC3691

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BEsat-1

V_BEsat-2

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter sustaining voltage I_C=3A; I_B=0.3A,L=1mH

Collector-emitter saturation voltage I_C=3A; I_B=0.15 A

Collector-emitter saturation voltage I_C=4A; I_B=0.2A

0.3

0.5

1.2

1.5

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=3A; I_B=0.15 A

I_C=4A; I_B=0.2A

V_CB=60V; I_E=0

μA

_CE=60V; V_BE=-1.5V

Ta=125℃

1.0

μA

I_CEX

I_EBO

V_EB=5V; I_C=0

μA

h_FE-1

I_C=0.5A ; V_CE=2V

I_C=1A ; V_CE=2V

100

h_FE-2

DC current gain

200

400

h_FE-3

DC current gain

I_C=3A ; V_CE=2V

C_OB

Output capacitance

I_E=0; V_CB=10V;f=1MHz

I_C=0.5A ; V_CE=10V

f_T

Transition frequency

150

MHz

Switching times

t_onTurn-on time

t_s

0.3

1.5

0.3

μs

I_C=3A;R_L=17Ω

I_B1=-I_B2=0.15A

Storage time

Fall time

_CC≈50V

t_f

h_FE-2classifications

100-200 150-300 200-400

123

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