2SC3611

更新时间： 2024-01-08 00:25:44

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松下 - PANASONIC		晶体视频放大器晶体管功率双极晶体管 ISM频段局域网
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描述
Silicon NPN epitaxial planar type(For video amplifier)

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2SC3611 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3611 数据手册

Power Transistors

2SC3611

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.5

For video amplifier

8.0

–0.1

3.2 0.2

φ 3.16 0.1

I Features

•

High transition frequency f_T

Small collector output capacitance C_ob

Wide current range

TO-126B package which requires no insulation plate for installa-

tion to the heat sink

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

110

Unit

0.5 0.1

1.76 0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

100

TO-126B-A1 Package

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

3.5

300

I_C

150

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

1.2

Collector power

dissipation

4.0 ^*

150

Junction temperature

Storage temperature

T_j

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Symbol

I_CEO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_CE= 35 V, I_B= 0

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 100 µA, I_E= 0

110

100

I_C= 500 µA, R_BE= 470 Ω

I_C= 1 mA, I_B= 0

Emitter to base voltage

I_E= 100 µA, I_C= 0

3.5

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

I_C= 150 mA, I_B= 15 mA

V_CE(sat)

f_T1

0.5

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −110 mA, f = 200 MHz

V_CB= 30 V, I_E= 0, f = 1 MHz

300

350

MHz

f_T2

Collector output capacitance

C_ob

201

12 3 4

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