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2SC3466M

更新时间: 2024-01-16 07:10:34
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 223K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 650V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR

2SC3466M 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77其他特性:HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:650 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):6
JEDEC-95代码:TO-218JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:120 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5 MHz
Base Number Matches:1

2SC3466M 数据手册

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