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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3415STP/NP
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2SC3415STP/NP

更新时间： 2024-02-01 09:24:40
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SC3415STP/NP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-72包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SC3415STP/NP 数据手册

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2SC4061K / 2SC3415S / 2SC4015  
Transistors  
Chroma amplifier transistor (300V, 0.1A)  
2SC4061K / 2SC3415S / 2SC4015  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High breakdown voltage. (BVCEO=300V)  
2) Low collector output capacitance.  
(Typ. 3pF at VCB=30V)  
2SC4061K  
3) Ideal for chroma circuit.  
1.6  
2.8  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.3Min.  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Each lead has same dimensions  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
300  
300  
5
Unit  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
2SC3415S  
4
2
I
C
100  
0.2  
mA  
2SC4061K  
Collector power  
dissipation  
2SC3415S  
2SC4015  
P
C
W
0.3  
∗
1
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
0.45  
Tstg  
−55 to +150  
∗
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
0.45  
2.5 0.5  
5
2
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
( )  
1
(
)
(
)
3
Taping specifications  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SC4061K 2SC3415S 2SC4015  
Package  
SMT3  
NP  
SPT  
NP  
−
ATV  
NP  
hFE  
2SC4015  
2.5  
6.8  
Marking  
Code  
−
TV2  
AN  
∗
T146  
3000  
TP  
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
5000  
2500  
∗
0.65Max.  
0.5  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
(
1
)
( ) ( )  
2 3  
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
ROHM : ATV  
Taping specifications  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
300  
300  
5
−
−
−
−
−
−
−
100  
3
−
−
−
0.5  
0.5  
2
V
V
I
I
I
C
=
=
50µA  
100µA  
C
V
E
=
50µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
56  
50  
−
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
200V  
Emitter cutoff current  
I
EB  
=
4V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=
50mA/5mA  
h
180  
−
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/I  
C=10V/10mA  
Gain bandwidth product  
f
T
CE  
CB  
=
=
30V, I  
30V, I  
E
E
=−10mA, f  
=30MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
=
0A, f 1MHz  
=
Rev.A  
1/3  
1234

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与2SC3415STP/NP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC3415STP/P ROHM 100mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPT, SC-72, 3 PIN

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2SC3415STPN ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, S

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