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2SC3254Q

更新时间： 2024-01-05 23:03:03

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
2页	239K
描述
Transistor

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2SC3254Q 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	35 W	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SC3254Q 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3254

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CE(

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Collector Cutoff Current

I_C= 1mA ; R_BE= ∞

I_C= 1mA; I_E= 0

I_E= 1mA; I_C= 0

I_C= 3.5A; I_B= 0.175A

V_CB= 40V; I_E= 0

V_EB= 4V; I_C= 0

0.4

100

280

)

sat

I_CBO

μA

I_EBO

h_FE

f_T

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_C= 1A ; V_CE= 2V

I_C=1A ; V_CE= 5V

Current-Gain—Bandwidth Product

100

MHz

Switching times

Turn-on Time

0.1

0.5

0.1

μs

t_on

t_stg

t_f

I_C= 3A; I_B1= -I_B2= 0.15A;

R_L=6.67Ω; V_CC= 20V

Storage Time

Fall Time

h_FEClassifications

70-140

100-200 140-280

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SC3254Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3254R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SC3254S	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 7A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SC3255	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3255	SANYO	60V/10A High-Speed Switching Applications	获取价格
2SC3255	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SC3255	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	获取价格