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2SC3250

更新时间： 2022-12-20 23:15:20

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3250 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3250

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

CONDITIONS

I_C=0.1mA ;I_B=0

MIN

300

TYP.

MAX

UNIT

I_C=0.1mA ;I_E=0

I_E=0.1mA ;I_C=0

I_C=50mA ;I_B=5mA

I_C=30mA ; V_CE=10V

I_C=5mA ; V_CE=50V

I_C=30mA ; V_CE=10V

I_E=0; V_CB=30V,f=1MHz

I_E=-20mA ; V_CB=30V

1.5

1.2

h_FE-1

DC current gain

250

h_FE-2

DC current gain

C_OB

Collector output capacitance

Transition frequency

5.0

f_T

100

MHz

123

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