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2SC3148

更新时间： 2024-01-27 22:59:10

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
4页	94K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3148 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.8
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	140 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3148 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3148

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High collector breakdown voltage:

_CEO=800V(Min)

·Excellent switching time:

t_r=1.0μs(Max.)

t_f=1.0μs(Max.@I_C=0.8A

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage

switching applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

900

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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